“将碳基片浸入溶液，溶液会自动分离出一层一层的碳纳米管。”

“碳基片上的碳纳米管完全分离后，剩下的都是其他成分的杂质。”

“在扫描电子显微镜下，可以清晰看到碳纳米管的规则成型、排列整齐，而且都是半导体性质。”

林丽进一步说：

“这个方法能够大批量、整齐、同质的制造半导体性质的碳纳米管。”

“那如果需要导体性质的碳纳米管了？”刘朝阳问。

“调整溶液配比就可以做到。”林丽说。

“纯度有多高？”刘朝阳继续问。

“10个9……”林丽说。

“这么高？”刘朝阳很惊讶。

“已经反复验证，纯度在10个9到11个9之间。我个人认为还可以进一步提高，只要溶液浓度提高。”林丽非常确定地说。

只有纯度在6个9以上的碳纳米管，才能制作出高性能的碳纳米管芯片。

刚才林丽介绍和演示过程非常简单。

将丁烯二醇、三氯乙烷和一种特殊调制的溶液相互混合。

丁烯二醇，26元/公斤，元/吨；

三氯乙烷，30元/公斤，元/吨；

显然，特殊溶液不简单。

“这种特殊溶液成本多少？”刘朝阳问。

“这种比较贵，1斤大概要100万元，这一瓶需要500万元。”林丽说完，列举了几种配置材料。

刘朝阳听后点头：“原来都是稀有材料，怪不得这么贵。”

“但是可以保质一个月，一个月内可以重复循环使用。”林丽说。

“那成本就不是不能接受。”常乐点头说。

“干的不错，林博士，我给你和你的团队记上一功，长江学者跑不了，另外我会帮你积极争取工程院院士。”刘朝阳说。

舒志杰的院士申请已经提交，没有人会反对、敢反对，大概率跑不了。

“确实要大大记上一功，林博士，你改变了一个产业的格局。”常乐说。

“谢谢老板、曾总、刘院长，总算成功了。”林丽欣然点头。

“刘院长、林博士，材料溶液按照研究院保密规则办理，等公司通知。”曾熙说。

“好！”

碳基芯片最大障碍，就是高纯度碳纳米管制备问题。

一旦解决这个问题，那么碳基芯片的应用，就能插上产业化翅膀，飞进千万寻常百姓家。

至于碳纳米管芯片的研发、设计、制造，包括设备，基本可以延续硅基芯片这一因为，碳纳米管结构与硅基芯片结构高度相似，制造方式也大差不差。

同样需要涂胶显影、光刻、刻蚀、离子注入、氧化退火、清洗、物理气相沉积和化学气相沉积等八大工艺。

一个都少不了。

要说区别。

就是碳纳米管芯片与硅基芯片相比，工作频率更高，极限在100GHZ。

而硅基芯片的工作频率极限为10GHZ，10倍差距。

功耗，碳纳米管芯片只有硅基芯片的1/5。

因此，采用90纳米工艺的碳纳米管芯片，其性能和集成度，相当于或者高于24纳米技术节点的硅基芯片。

采用28纳米工艺的碳纳米管芯片，其性能和集成度，相当于或者高于7纳米技术节点的硅基芯片。

以此类推，如果是10纳米工艺的碳纳米管芯片，则基本等同于摩尔定律极限的硅基芯片。

3纳米？

2纳米？

1纳米？

根据京城大学研究团队研究结果表明：

碳纳米管在达到理论极限（1纳米）时，可以天然克服短沟道效应。

短沟道效应，通俗讲，就是硅基芯片摩尔定律触顶后，会漏电、电压不稳、电流不稳。

因此，碳纳米管芯片无需采用复杂的三维晶体管技术，如FinFET（鳍式场效应晶体管）。

同时，碳基芯片的制造工艺，相较于硅基芯片，要相对简单。

而按照斯坦福大学研究报告称，如果将碳纳米管芯片设计成三维结构，性能是二维硅基芯片的1000倍。